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三菱
3
U和5U的PLC如何通訊?用
N
:
N
通訊最簡單~
學習
3
U和5U通訊之前,我們先來看看什么是
N
:
N
通訊(5U的PLC稱這種叫做“簡易PLC間連接”),
N
:
N
通訊是三菱FX系列PLC很基礎的一個通訊協議,能夠實現最多8臺PLC直接的信號交互,這里面有一臺PLC作為主站,能過和其余的7臺PLC(從站)進行通訊(
2
到8臺都可以通訊),首先需要進行接線,如下圖接成
3267
技成電工課堂
??? 4年前
帖子
OPPO Find
N
2
/Flip發布:7.
1
/6.8吋三星E6 OLED屏,5999元起
中國市場當季上市折疊新機發展趨勢分析
1
. 當季上市折疊新機數量趨勢分析
2
. 當季上市折疊新機參數對比分析
3
. 當季各品牌折疊新機占比趨勢分析四. 中國市場折疊手機技術發展趨勢分析
1
. 價格區間趨勢分析
2
. 主屏尺寸區間趨勢分析
3
. 主屏像素密度區間趨勢分析 4. 折疊形態發展趨勢分析 5.
2166
CINNO
??? 3年前
帖子
Ansys多物理場解決方案榮獲臺積電
N
3
E和
N
4P工藝技術認證
電源完整性軟件榮獲臺積電行業領先的
N
4P與
N
3
E工藝技術認證,這將進一步深化Ansys與臺積電的長期合作。
1949
陽普科技
??? 3年前
帖子
功率模塊封裝用高熱導率Si
3
N
4陶瓷的研究進展
β-Si
3
N
4的熱導率隨 Y
2
O
3
/SiO
2
助劑比率的增加而增大,在 Y
2
O
3
/SiO
2
接近
1
附近,熱導率顯著增加。 β-Si
3
N
4晶格氧含量隨 Y
2
O
3
/SiO
2
比率的增加而下降, 超過 Y
2
O
3
/SiO
2
≈
1
時晶格氧含量趨于恒定。
2881
熱管理博覽會
??? 2年前
帖子
氮化硅(Si
3
N
4)的理論熱導率上限
03 圖文導讀 圖
1
(a)α-和(b)β-Si
3
N
4的聲子色散關系和態密度。 圖
2
(a)第一性原理預測的Si
3
N
4熱導率隨溫度的變化及與實驗數據的對比;(b)第一性原理預測的α-和β-Si
3
N
4熱導率隨溫度變化的對比。
2564
熱管理博覽會
??? 3年前
帖子
Ansys多物理場解決方案通過臺積電
N
2
芯片工藝認證
這項最新認證也是基于此前Ansys平臺通過臺積電
N
4和
N
3
E FinFLEX工藝認證的合作上的延續。 臺積電設計基礎架構管理部負責人Dan Kochpatcharin表示:“臺積電始終與我們的Open Innovation Platform?(OIP)生態系統合作伙伴密切合作,臺積電最先進的
N
2
工藝全套設計解決方案,可幫助雙方客戶實現最佳設計結果。
2387
Ansys中國
??? 3年前
帖子
高抗干擾觸控IC觸摸感應芯片
3
鍵觸摸觸控芯片VK36
N
3D SOP16/QFN16L
1
對
1
輸出 FAE支持
2
.
2
V-5.5V/10μA(
3
V) 感應通道數:
1
輸出方式:直接輸出 高抗干擾/待機電流小,抗電源及手機干擾,可通過CAP調節靈敏度 封裝:SOT23-6VK36
N
1
DT 工作電壓/待機電流:
2
.
2
V-5.5V/10μA(
3
V) 感應通道數:
1
輸出方式:鎖存輸出 高抗干擾/待機電流小,抗電源及手機干擾,可通過CAP調節靈敏度 封裝:SOT23-6VK36
N
1
DO
1566
1
芒果MG
??? 1年前
帖子
一款
3
A、5.4?、1500V和MOSFET的光電耦合器-
3
N
150
工采網代理的光耦合器 -
3
N
150由砷化鎵紅外發光二極管和集成的高增益、高速光電探測器組成。該器件采用TO-247和TO-
3
PF兩種封裝。光電探測器內部配備有法拉第屏蔽,確保了±20 kV/us的共模瞬態抗擾度。
3
N
150適用于適配器或SMPS備用電源的直接柵極驅動電路。
1377
如果我年少有為
??? 3月前
帖子
EA
1
N
車軸疲勞裂紋的分析
表
2
EA
1
N
車軸不同位置的化學成分(wt%)低倍組織表
3
為車軸斷口附近截面的低倍組織級別。由表
3
可知,車軸材料的一般偏析、中心疏松、錠型偏析、斑點狀偏析現象均不明顯,甚至不存在。表
3
EA
1
N
車軸斷口附近的低倍組織(級)力學性能表4 為從車軸斷口附近9 點取樣的力學性能。
3394
1
FMMM
??? 3年前
帖子
高抗干擾
2
鍵觸摸觸控芯片感應觸摸檢測IC-VK36
N
2
D SOP8/DFN8L VK原廠
VK36
N
2
D_V
1
.
1
-EN.pdf?
1516
1
芒果MG
??? 1年前
帖子
電容式觸控芯片抗干擾5路觸摸IC-VK36
N
5B提供了
3
位BCD碼輸出功能,
1
個觸摸狀態輸出腳
LJQ7658產品品牌:永嘉微電/VINKA產品型號:VK36
N
5B封裝形式:SOP/QFN16最新年份 ? 工作電壓
2
.
2
-5.5V ? 待機電流10μA/
3
.0V ? 上電復位功能(POR) ? 低壓復位功能(LVR) ? 觸摸輸出響應時間:工作模式 48mS ,待機模式160mS ? 通過AHLB
1683
永嘉微電-曾婷婷
??? 3月前
帖子
基于lammps模擬干酪根狹縫中注CO
2
/
N
2
提高頁巖油藏采收率
整個塊狀的干酪根尺寸約為15×5.
2
×
1
.5 nm
3
。計算該模擬干酪根的密度為
1
.19 g/cm
3
,符合Ⅱ型干酪根的實驗值密度范圍(
1
.18 -
1
.35 g/cm
3
)。 圖
1
干酪根結構單元 圖
2
利用NEMD方法制作干酪根基質通過所得干酪根建立5 nm寬的狹縫孔。
3000
320科技工作室
??? 1年前
帖子
在Ncode中如何創建材料的S-
N
疲勞曲線
SRI
1
:應力范圍截距值MPa。b
1
:第一疲勞強度指數。Nc
1
:疲勞曲線拐點值。b
2
:第二疲勞強度指數。SE :對數標準差。RR :測試應力比。 對于這些系數我們需要進一步求解,如下:
4212
1
2
SimYoungC
??? 1年前
帖子
python實現S-
N
曲線,P-S-
N
曲線
ss_res = np.sum(residuals **
2
) ss_tot = np.sum((y - np.mean(y)) **
2
) r_squared =
1
- (ss_res / ss_tot) if ss_tot !
2211
gr_01
??? 7月前
帖子
:用單一D-A共聚物制備的全有機平面P-
N
結
電流密度隨偏置電壓的變化,測試結果表明T
2
-DPPT, DPPTTT和T-DPPT制備出的P-
N
結具有良好的整流特性,正向偏置電流密度分別高達
3
.83 A/cm
2
,
3
A/cm
2
和
1
.47 A/cm
2
。 圖
2
. 三個聚合物T
2
-DPPT, DPPTTT, T-DPPT的電導率(a)和塞貝克系數(b)隨FeCl
3
的濃度的變化。
2932
非金非土非木
??? 4年前
帖子
伽安科技GMJA003-
N
-V免維護便攜式單一氣體檢測儀
" data-rowspan="
1
" data-colspan="
1
"><p>連續運行
1
年(免維護周期)</p></p></td></tr><tr class="ql-table-row" data-row-id="j106le
3
mw
2
"><td class="ql-table-cell" data-row-id="j106le
3
mw
2
" data-col-id="
1
n
2
jv4b6wzvh" rowspan
1924
用戶_132561
??? 4月前
帖子
單原子分散的Ir-
N
-C燃料電池陽極抗中毒催化劑
文章亮點
1
.以商業炭黑作為碳源,以
2
-甲基咪唑和乙酰丙酮銥作為氮源和銥源,成功制備了原子級分散的Ir-
N
-C催化劑。
2
.該Ir-
N
-C對甲酸具有良好的電催化氧化性能,其質量比活性為商業 Pd/C 的 48倍。組裝了燃料電池單電池進行測試,結果顯示,Ir-
N
-C催化劑在單電池中的質量比功率密度高達281 mW/mg,較商業Pd/C催化劑提升了
3
倍。
4257
化工加
??? 3年前
帖子
如何用"
1
款材料"做
N
種跨界產品設計
↑ 用Tyvek? 材料設計的折紙沙發by 著名工業設計師楊明潔
1
初相識杜邦? Tyvek? 品牌材料是一款由100%高密度聚乙烯通過獨特的閃蒸法工藝噴絲熱壓而成的無紡布科技材料,結合了紙張、織布和薄膜的材料特性于一身。
2114
工業設計學渣
??? 3年前
帖子
問懵你:粗糙度為什么是0.8,
1
.6,
3
.
2
, 6.
3
, 12.5嗎?
1
.0
N
0
1
.12
N
2
1
.25
N
4
1
.4
N
6
1
.6
N
8
1
.8
N
10
2
.0
N
12
2
.24
N
14
2
.5
N
16
2
.8
N
18
3
.15
N
20
3
.55
N
224.0
N
244.5
N
265.0
N
285.6
N
306.
3
N
327.
1
N
348.0
N
369.0
N
38
2223
數控編程教學
??? 4年前
帖子
│揚州大學工業催化課題組g-C?
N
?超低負載單原子Co催化環己烷高效氧化
作者簡介 袁恩先 ,揚州大學化學化工學院,講師,研究方向:
1
. 飽和烷烴氧化非貴金屬催化劑開發;
2
.
2
,
3
-丁二醇選擇性脫氫高穩定性Cu基催化劑的制備及反應機理研究;
3
.
4259
化工活動家
??? 3年前
20條/頁
1
2
3
4
5
167
跳至
頁
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